پوست الکترونیکی با ترانزیستور تک اتمی تولید شد

محققان دانشگاه استنفورد برای تولید پوست الکترونیکی گامی بلند رو به جلو برداشته اند و موفق به تولید ترانزیستورهای باریک تک اتمی شده اند.

- به نقل از انگجت، پوست های الکترونیکی باید کاملاً باریک و راحت باشند.

از همین رو باید اجزای الکترونیکی مورد استفاده برای تولید آنها نیز کاملاً باریک و نازک باشند.

فناوری جدید ابداع شده در دانشگاه استنفورد به مهندسان امکان می دهد تا ترانزیستورهای تک اتمی بسازند که ضخامت آنها تنها 100 نانومتر است.

پیش از این برای تولید نیمه هادی ها و ترانزیستورهای دو بعدی باریک تلاش شده بود، اما مشکل اساسی گرم شدن شدید آنها بود که پلاستیک های مورد استفاده برای تولید پوست های الکترونیک را ذوب می کرد.

در رویکرد جدید برای حل این مشکل از پوشش سیلیکونی و نیز یک پوشش مکمل نیمه رسانای فوق العاده نازک از دی سولفید مولیبدن استفاده شده که با الکترودهای طلای نانو تکمیل می شوند.

مجموعه این ترکیب تنها سه اتم ضخامت دارد و قادر به تحمل دمای 815 درجه سانتیگراد است.

انتظار می رود از این ترکیب برای تولید پوست های الکترونیکی با قابلیت عبور دادن ولتاژ کم استفاده شود که 5 میکرون ضخامت داشته باشند.

این رقم یک دهم موی انسان است.