محققان ایرانی موفق به کنترل اثر کشش کولونی در مدار های نانوالکترونیک شدند

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه فناوری خبرگزاری دانشجو، فرض کنید دو رسانا داشته باشیم که نزدیک یکدیگر هستند، اما هیچ اتصالی بین آن ها برقرار نباشد.

با آزمایش های دقیق مشاهده شده که اگر یک جریان الکتریکی از یکی از این رسانا ها عبور کند، - یکی از پژوهشگران ایرانی در تحقیقی توانسته است روشی را برای تقویت و کنترل دقیق اثر کشش کولونی در مدار های نانوالکترونیک ارائه دهد.

به گزارش سایت قطره و به نقل ازگروه فناوری خبرگزاری دانشجو، فرض کنید دو رسانا داشته باشیم که نزدیک یکدیگر هستند، اما هیچ اتصالی بین آن ها برقرار نباشد.

با آزمایش های دقیق مشاهده شده که اگر یک جریان الکتریکی از یکی از این رسانا ها عبور کند، در رسانای مجاور آن یک اختلاف پتانسیل و یا یک جریان الکتریکی ضعیف برقرار می شود.

به این اثر، کشش کولُمبی (Coulomb Drag Effect) گفته می شود.

درواقع، علت اصلی این اثر، برهمکنش کولُمبی بین الکترون های این دو رسانای نزدیک یکدیگر است.

اثر کشش کولمبی بین نقطه های کوانتومی، با توجه به استفاده ی فراوان از آن ها در نانوالکترونیک، از اهمیت بسزایی برخوردار است.

در سال 2016، این اثر در سیستمی شامل دونقطه ی کوانتومی که به چهار الکترود فلزی متصل شده بود، مشاهده شد.

اما در مسیر دستیابی به شرایط لازم برای مشاهده ی این اثر، مشکلات مختلفی از جمله چگونگی مهندسی و ساخت بهینه ی این ساختار ها بر